苏大维格受邀参加“十二五”国家科技创新成就展2016年7月

       国家“十二五”科技创新成就展6月1日在北京展览馆拉开帷幕。“大幅面微纳图形直写装备”和“110吋双屏电容触控智能终端”作为国家863计划参加“十二五”国家科技创新成就展。
 


 

        此次参展的“高性能电容触控信息交互终端”,基于公司自主发明专利,采用“微纳图形化+柔性纳米压印+纳米涂布”新方案,成为中大尺寸最好的解决方案之一,相对传统的ITO导电膜,电阻小于10欧/方,线宽2-3微米,导电率相比ITO提高10倍以上,触控寿命无限多次;最大支持110寸电容传感电路,更支持柔性功能器件。苏大维格从根本上攻克了大面积高性能透明导电材料的基础难题,在业内建立了首条绿色制造生产线,是国内唯一能批量供应大尺寸高端电容触控屏的企业,55英寸、3微米线宽可量产的透明导电薄膜是目前行业的最高水平。
 


 

       而大尺寸电容触控屏的核心装备,便是苏大维格自主研发的大幅面微纳直写光刻设备iGrapher820,该成果曾获国家科技进步奖二等奖和江苏省科技奖一等奖。下图为设备照片:
 


 

       设备幅面达65寸,结构分辨率100纳米,打破了纳米光刻加工系统严重依赖国外引进的局面,具有国际领先水平,并在国内外得到广泛应用,为我国今后推进大幅面柔性功能器件和材料创新提供了关键技术和平台。大幅面微纳直写光刻装备使我国成为世界上少数几个具备米级微纳模具制备能力的国家之一。

       除了微纳透明导电膜,苏大维格还通过连续微纳米结构的设计和制造,突破了近百年来裸眼3D原理中视差屏障及柱透镜阵列所存在的固有缺陷,解决了现有裸眼3D显示串扰大、视觉疲劳、用户体验不佳等问题,实现了无视差、无视觉疲劳的真裸眼3D显示。同时基于纳米结构色实现了“纳米3D印刷”和光变色转印材料;通过微透镜阵列结构实现了超薄导光膜,并在国际顶级平板电脑品牌上应用。

       即将亮相北京展览馆的“超宽双屏高性能电容触控信息交互终端”只是苏州工业园区众多纳米高新技术与产品的冰山一角,它为纳米技术在电子终端产品中的应用带来无限遐想的同时,也必将在国家“十二五”科技创新成就展上令人惊艳。