高速激光图形化直写设备 iGrapher200-820


高速激光图形直写设备(UV laser pattern generator) iGrapher专门用于精密微电路、和微纳模具的无掩模光刻,幅面8英寸-65英寸,线宽>1微米(光学分辨率0.1um-0.5um可调),应用于柔性电路、平板显示(OLED)、触控电路、MEMS的光刻工艺、光掩膜制版和微图形模具制备,是光电子器件、功能材料、微流控、THZ等领域不可或缺的光刻手段。
 
产业界希望,将设计的微电路图形或功能微结构,直接将数据光刻转化成微电路的图形结构,尽量不采用光掩膜光刻。这要求图形化直写设备有足够高光学分辨率和写入效率,同时大数据处理方便,重复对位精度高,对环境和基片厚度变化具有自适应性,操作简便等先进功能。 iGrapher的超精密激光直写光刻功能,成为新一代无掩模光刻首选。
 
iGrapher实现了上述希望,突破了一系列关键技术难题,在硬件、软件和工艺上全面提升,实现了大幅面衬底上的微图形高速直写,对掩模文件、集成电路文件格式全兼容。采用高速空间光调制器(spatial light modulation),阵列图形输入模式(达8k帧),3D导航飞行曝光(3D navigation flying exposure)、纳秒时序平铺曝光(parallelism、 nano-second patterning)技术,专用于光掩模、柔性电子的微图形(线宽1um-10um)、LIGA工艺、微纳模具的高效光刻。

 
iGrapher系列设备已用于4寸~8寸MEMS制备、17寸-55寸精密电路制备的工业应用。

iGrapher200M
为微图形(无掩模)快速制备而设计的小型光刻设备。由紫外激光源、直线电机驱动精密气浮平台、空间光调制SLM、自动共焦聚焦系统、光学检测系统和CCD对准光学系统构成。设备的数据分辨率0.1um/0.25um,系统光学分辨率0.25um,基片尺寸8" wafer,最小线宽1um。
 
用途:微结构器件、光掩膜、MEMS和微流控等光刻。应用对象:高校和企业的光电子、材料研发。
 
iGrapher820G
为32"~65"光掩模、微图形而设计的大型无掩模光刻设备。由大功率紫外激光源、直线电机驱动、纳米精度气浮平台、SLM器件、自动聚焦系统、Z-校正、3D导航检测系统和CCD对准光学系统构成。数据分辨率0.25um-0.5um,线宽2um~5um。
 
应用:柔性电路、显示、触控产业的掩膜板、深纹图形光刻。应用对象:显示企业、触控企业、光电子企业。应用客户:日本企业、韩国企业。
 
iGrapher是新一代精密无掩膜光刻直写设备,确保微图形品质和合理成本。iGrapher既有纳米精度,又高速率写入,有可靠的品质、加工精度、成本和灵活性优势。
 
 
 

32寸微图形金属模具和显微结构照片
苏大维格自己是第一用户,充分了解设备的性能,了解光电器件功能和成本可控性。设备的所有功能设定均与行业需求匹配。有极高性价比。
 
应用场合: 柔性电子、显示、新材料、精密模具制造

    精密掩膜板
    柔性电子
    传感器(MEMS/NEMS)
    生物芯片Bio-chip
    科学研究 (微纳制造)
    精密印刷掩膜板
    集成成像
    微光学元件
    红外偏振器件
    纳米图形(可选)
    OLED光效提取图形
    镂空掩膜板
    教育(微电子、光学、先进制造、机电)
    平板显示 
    光学防伪

iGrapher直写设备的先进功能介绍
 
在iGrapher直写设备,在投影光学系统设计的基础上,应用了空间光调制技术(SLM)、Z-校正和光斑平铺滚动重叠曝光技术,克服了传统激光直写系统的写入效率不高和数据处理效率低的瓶颈,提升了图形均匀性和运行效率。
 
独有“光束平铺频闪曝光”功能(Beam tile flash patterning, BTFP),写入速率:300平方毫米/分~3000平方毫米/分钟(取决于分辨率设定和重叠次数),高速模式达4800平方毫米/分,定位精度±20nm;
 
“重叠加积分曝光”(superimposed lithography)消除了光斑不均匀,实现5um深纹光刻,CD值<50nm,提升了线宽的一致性;
 
“3D导航飞行曝光”功能确保在不平整衬底上的图形写入精度;“重叠灰度曝光”(grayscale lithography),实现了台阶结构的高效制备。
 
 
iGrapher200M 性能参数

    基板尺寸:8吋
    数据分辨率:0.1um-0.25um
    光学分辨率:0.25um-0.5um (355nm波长)
    线宽>1.0um
    CD值<50nm
    重复定位精度:+/-10nm
    平台运行速度:100mm/s - 250mm/s
    曝光速度:1000帧/s - 2000帧/s
    曝光模式:
        矢量化扫描
        拖曳扫描
        平铺曝光
        灰度光刻
        干涉光刻(可选,周期>300nm)
    衬底材料: 玻璃、Si、GaN,蓝宝石。
    6" wafer size,写入 <1小时,高速模式<0.2小时。

iGrapher820G 性能参数

    幅面:32” up to 65”
    数据分辨率:0.25um
    光学分辨率:0.5um(波长355nm)
    特征尺寸:0.1um,0.02um(可选项)
    重复定位精度:+/-20nm
    平台扫描速度:250mm/s - 500mm/s
    曝光速率:1000帧/s -5000帧/s
    曝光模式:
        平铺重迭曝光(光掩膜,浅纹)
        滚动迭代曝光(微结构、深纹)
        干涉光刻(可选项,>300nm周期)
    光刻胶板、掩膜Cr板
 

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