高速激光图形化直写设备 iGrapher200/iGrapher820

应用场景

  >> 精密掩膜板
  >> 柔性电子
  >> 传感器(MEMS/NEMS)
  >> 生物芯片Bio-chip
  >> 科学研究 (微纳制造)
  >> 精密印刷掩膜板
  >> 集成成像
  >> 微光学元件
  >> 红外偏振器件
  >> 纳米图形(可选)
  >> OLED光效提取图形
  >> 镂空掩膜板
  >> 教育(微电子、光学、先进制造、机电)
  >> 平板显示 
  >> 光学防伪

 

技术特点

  >> 支持8”-65”幅面

  >> 高速图形化,高速SLM

  >> 高精度浮运动平台

  >> 频闪平铺光斑曝光( Flash Tile Beam Lithography(FTBL)。采用DPSSL UV 激光器

  >> 3D 导航自动聚焦

  >> 支持GDS II,DXF,BMP等文件格式

 

客户价值

  >> 高性价比半导体90-130nm节点掩膜制备的直写系统,支持8英寸图形化幅面

 

 

规格参数


       高速激光图形直写设备(UV laser pattern generator) iGrapher专门用于精密微电路、和微纳模具的无掩模光刻,幅面8英寸-65英寸,线宽>1微米(光学分辨率0.1um-0.5um可调),应用于柔性电路、平板显示(OLED)、触控电路、MEMS的光刻工艺、光掩膜制版和微图形模具制备,是光电子器件、功能材料、微流控、THZ等领域不可或缺的光刻手段。
 
       产业界希望,将设计的微电路图形或功能微结构,直接将数据光刻转化成微电路的图形结构,尽量不采用光掩膜光刻。这要求图形化直写设备有足够高光学分辨率和写入效率,同时大数据处理方便,重复对位精度高,对环境和基片厚度变化具有自适应性,操作简便等先进功能。 iGrapher的超精密激光直写光刻功能,成为新一代无掩模光刻首选。
 
       iGrapher实现了上述希望,突破了一系列关键技术难题,在硬件、软件和工艺上全面提升,实现了大幅面衬底上的微图形高速直写,对掩模文件、集成电路文件格式全兼容。采用高速空间光调制器(spatial light modulation),阵列图形输入模式(达8k帧),3D导航飞行曝光(3D navigation flying exposure)、纳秒时序平铺曝光(parallelism、 nano-second patterning)技术,专用于光掩模、柔性电子的微图形(线宽1um-10um)、LIGA工艺、微纳模具的高效光刻。


       iGrapher系列设备已用于4寸~8寸MEMS制备、17寸-65寸精密电路制备的工业应用。

 >> iGrapher200
       为微图形(无掩模)快速制备而设计的小型光刻设备。由紫外激光源、直线电机驱动精密气浮平台、空间光调制SLM、自动共焦聚焦系统、光学检测系统和CCD对准光学系统构成。设备的数据分辨率0.1um/0.25um,系统光学分辨率0.25um,基片尺寸8" wafer,最小线宽1um。


  >> iGrapher820
       为32"~65"光掩模、微图形而设计的大型无掩模光刻设备。由大功率紫外激光源、直线电机驱动、纳米精度气浮平台、SLM器件、自动聚焦系统、Z-校正、3D导航检测系统和CCD对准光学系统构成。数据分辨率0.25um-0.5um,线宽2um~5um。

iGrapher直写设备的先进功能介绍:

  1.  在iGrapher直写设备,在投影光学系统设计的基础上,应用了空间光调制技术(SLM)、Z-校正和光斑平铺滚动重叠曝光技术,克服了传统激光直写系统的写入效率不高和数据处理效率低的瓶颈,提升了图形均匀性和运行效率。
  2. 独有“光束平铺频闪曝光”功能(Beam tile flash patterning, BTFP),写入速率:300平方毫米/分~3000平方毫米/分钟(取决于分辨率设定和重叠次数),高速模式达4800平方毫米/分,定位精度±20nm。
  3. “重叠加积分曝光”(superimposed lithography)消除了光斑不均匀,实现5um深纹光刻,CD值<50nm,提升了线宽的一致性。
  4. “3D导航飞行曝光”功能确保在不平整衬底上的图形写入精度;“重叠灰度曝光”(grayscale lithography),实现了台阶结构的高效制备。